三星造芯片又翻车！GaN代工试产就出问题

麦享科技7月31日消息，三星电子的GaN（氮化镓）半导体代工项目在试生产阶段遇到麻烦，部分芯片在高温环境下无法正常工作，原定年内量产的目标可能推迟。

GaN是一种化合物半导体，主要用于电动车、机器人、数据中心等需要高压高温的场景，简单说，电动车充电、AI服务器供电，都可能用到这种芯片。

三星在龙仁建立了8英寸GaN代工专线，月产能1300-1500片晶圆，为芯片设计公司代工生产，但试生产的芯片在100-200°C环境下暴露约1000小时后，出现停止工作的现象。

业内人士指出，三星为达到芯片性能目标，对工艺进行了调整，但这可能导致芯片寿命受到影响，GaN芯片需要2-3V的阈值电压，如果电压过低，在微小电流下就可能出现错误。

这意味着三星目前的工艺生产的芯片可靠性不足，无法满足实际使用需求，对于电动车、数据中心等应用场景来说，芯片在高温下失效是致命的。

三星原计划2025年投产GaN代工专线，后推迟至2026年底，此次质量问题可能导致量产时间再推迟数月。

目前英飞凌、ST、德州仪器、英诺赛科等厂商已销售GaN芯片1-2年，三星明显落后。

部分芯片设计客户已开始考虑其他代工选项，包括格芯、力积电、X-FAB等。

GaN半导体的掩模成本比硅芯片低，客户切换代工厂的门槛不高，三星回应称，目前还在开发阶段，还不能将此定义为不良品。

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